1997年，英特尔在琢磨如何突破193nm波长的瓶颈时，干脆想了个一步到位的办法，用高功率二氧化碳激光器发射波长为13.5nm的极紫外光，这种波长仅为氟化氩激光的十四分之一，能够用于雕刻7nm制程以下的芯片。
不过麻烦也有许多，比如激光波长太短会产生绕射，造成掩膜和晶圆边缘过度曝光，芯片良品率会因此大幅下降。
英特尔深知EUV的研发工程已经超出自身能力范畴，于是拉上尼康、ASML、摩托罗拉、ADM等一众企业找上美国能源部，希望由美国政府部门牵头来做这件事。
事情最后被一层层捅到白宫，当时的总统克林顿很是热衷于科技事务，遂下令科技顾问委员会仔细研究。结论是可行性很高，利润空间很大，但技术难度也堪比登天。为此，经克林顿亲自审批，美国能源部又先后调集劳伦斯利弗莫尔，劳伦斯伯克利和桑迪亚三家国家级实验室，并额外投资2亿美元，资助EUV光刻机的研发。
熟悉美国科技史的朋友应该知道，这三个国家级实验室的数百名科学家，当时是全球科研界最顶尖的人才，没有之一，堪称精英中的精英。美国几乎所有领先世界的科技，源头都是从它们这里出来的。
换句话说，美国决定以倾国之力押注EUV光刻技术，而目的就是为了重新夺回全球半导体产业链控制权。
所以，美国政府对英特尔只提了一个要求：不要尼康！
利益面前，英特尔没有半分地犹豫，哐当一脚便把尼康踢出屋外，剩下的企业和美国能源部及三大国家级实验室组成EUV LCC联盟，正式向光刻技术的最高峰发起冲击！
经过多方的不懈努力，EUV极紫外线光刻机终于从几百篇论文中走进现实。
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