目前,全球光子芯片产业刚刚起步,作为独立于电子集成技术的新集成技术,其技术壁垒还没有形成,这为我国光子芯片提供了足够的研发时间与市场空间,也为我国信息产业发展提供了巨大的机会。
近年来,我国在光子集成方面取得了一定的进展,着眼于光子集成技术实施了一系列重大研究计划,包括973、863、国家自然科学基金重大项目等。虽然过去国内在相关技术领域处于落后状态,但随着研究基础的加强及技术人员的不懈努力,目前国内已经具备了光子集成芯片研究条件,并且拥有巨大的光子芯片市场前景。
芯片由电到光的转换,是我国实现赶超的战略机遇。
在基础理论方面,中国与美国基本处于同一水平。现代光学理论源于爱因斯坦的原子辐射研究,基于爱因斯坦的研究设想,美国科学家于1960年发明了世界上第一台红宝石激光器。1961年,中国科学院长春光机所就研制出了中国第一台红宝石激光器。自现代光学产生以来,我国始终保持着持续的投入和研究,在基础理论研究方面一直与美国齐头并进。
在技术方面,中外各有优势。比如,在光子集成技术研究方面,我国中科院西安光机所、中科院微电子所、中科院半导体所、上海微系统所和上海交大、清华大学、浙江大学、华中科技大学等都进行了长期研究,国家针对光子集成技术也实施了一系列重大研究计划,在光子集成技术方面取得了很大的成就。目前世界上最高的光子集成规模为2014年实现的单片集成超过1700个功能器件。
我国2016年启动的B类先导专项——大规模光子集成芯片致力于开发集成器件大于2000的大规模光子集成芯片,并最终实现了15408个器件的大规模集成,集成规模世界领先。在光子芯片设计水平方面,我国处于世界一流水平。
曦智科技设计出了全球首款光子计算芯片原型板卡,最新的单个芯片可集成12000个光子元器件,一些算法的实测性能已超过英伟达gpu的100倍,在光子计算领域领先国外。洛微科技发布了目前集成度最高的多通道FMCW激光雷达SoC光子芯片,单个芯片上可集成3000多个光子元器件。
在产业化方面,全球还处于起步孕育期,产业生态尚未形成,美国仅具有微弱优势。
美国于2004年首次实现大规模光子集成,2017年下半年英特尔开始大批量供应100G产品,标志着光子集成真正进入到主流应用领域。我国于2012年进入规模化集成阶段,与美国差距不大。
总体而言,相较于美欧在集成电路、机械等领域拥有数十年的积累优势,我国在光子芯片领域与国外差距较小,与美国的差距仅有5~10年。
随着国内相关技术的快速发展,中外差距正日益缩小,且我国在局部已具有领先优势。目前全球光子芯片产业尚未成熟、定型,世界上还没有任何一个公司、任何一个国家构建出光子集成生态,这也为我国在“后摩尔时代”换道超车提供了巨大空间。
以科技革命的战略眼光
看待光子芯片
全球科技革命是沿着机械化、电气化、信息化、智能化的演进规律和逻辑在推进的。第一次科技革命是以蒸汽机为代表的机械革命;第二次科技革命是以电为代表的电气化时代;第三次科技革命是以集成电路为代表的信息化时代。过去200多年,本质上是机械和电的时代,但它们的性能现在已经发展到了极致。下一个时代,很大可能将是光+人工智能的时代——以集成光路为基础设施的智能化时代。