还有一条路就是跳出硅基芯片的束缚，发展第三代半导体技术，用第三代半导体技术发展全新芯片，就是碳基芯片。
第三代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更大的电子饱和漂移速率、更高的抗辐射能力等特性。
目前都处于研发阶段，没有任何公司或国家占据主导地位。
不过在去年中国科学院院士彭练矛曾披露，经过20年的努力，北京大学与北京市联合创建的北京元芯碳基集成电路研究院团队，已经成功把碳纳米管半导体纯度提升到99.99995%，并在4英寸晶圆上制备出密度120毫微米、直径分布1.45±0.23nm的碳纳米管阵列，理论上达到超大规模碳纳米管集成电路的需求，而且在真实电子学表现上超过传统硅基产品。
不过下一步90纳米的碳基CMOS先导工艺开发还有更多工程性问题，而工程问题需要大量工程试验来解决。
而这次国家主导这项逆袭计划，似乎说明八字已经有一撇了，但还需要国家统筹计划迅速出成果。
而中国举全国之力的项目基本都会实现，向来说到做到。在新技术路线上，现在中美在同一起跑线，这是中国逆袭重新洗牌的良机。
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