去年，中国制定“十四五规划”，明确点出了人工智能、量子信息、集成电路等8大前沿科技领域，新基建将成为芯片应用无比辽阔的土壤。
对于跃跃欲试的中国芯片企业而言，未来已经到来。据德勤报告分析，到2024年，中国在全球半导体消费中的占比将达到57%。预计中国将继续保持世界第一大半导体消费市场的地位。这也将给未来中国发展芯片产业带来不可多得的良好机遇。
“价格不变时，集成电路上可容纳元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍”——这是半导体行业中著名的摩尔定律。
1965年首次被提出后，摩尔定律始终指引着芯片产业不断向前发展，业内公司为保持领先优势而不惜重金投入。
但随着工艺制程不断向前推进，进一步发展的成本和技术壁垒都在飙升。
专业人士表示，28nm是一个关键节点，制程进入28nm之后成本便快速攀升。有数据表明，28nm的平均设计成本为3000万美元，16nm/14nm芯片的平均设计成本约为8000万美元，而7nm芯片平均设计成本逼近3亿美元。
这还没有考虑到日渐逼仄的芯片应用管道——行业正在进入后摩尔定律时代。从现实角度出发，芯片行业如果一直按照摩尔定律演进，那么中国只能一直跟在后面疲于追赶，而摩尔定律的逐渐失效给了中国企业一个迎头赶上的重要战略窗口期。
如何“换一个思路跳出巨头对摩尔定律的竞逐”、弯道超车是他们共同的命题。
并不是没有突破——在一些应用芯片领域，来自中国企业的努力开始得到回报。比如华为海思的麒麟芯片已跻身手机芯片行业第一梯队，比如高德红外探测器芯片，在技术水平上已经超过欧洲，比肩美国企业。中国也成为全球五个掌握军用红外探测器核心技术的国家之一。
在工艺的突破上，清华大学最近宣布，其物工系发现了一种波长可以覆盖从太赫兹到极紫外波段的新粒子加速器光源，这种光源最直接的应用就是EUV光刻机，这一发现将极大地缩短我国EUV光刻机的研发历程。
而江苏南大光电也在最近宣布，其自主研发的ArF（193nm）最高可用作于7nm芯片制造材料，各项测试性能和芯片良品率均达到了世界领先水平，该产品是国内首款自主研发的可用于7nm芯片的光刻胶，填补了国内在该领域的技术空白，打破了日企对高端光刻胶的垄断。
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