同时表示,到2019年年底实现量产19nm 8Gb DDR4,并且实现产能2万片每月;
2021年完成17nm技术研发。
朱一明在5月份的演讲中提到的时间线最终得以如期完成,甚至可以说提前了,
9月20日,世界制造业大会在安徽合肥开幕,本次大会上,合肥长鑫存储正式宣布其自主研发的8Gb DDR4量产,在世界制造业大会现场,朱一明表示,公司投产的8Gb DDR4已通过多个国内外大客户的验证,今年底正式交付,另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产,注意是移动终端,但是没有说是手机还是其他。
长鑫存储对媒体表示:
合肥12寸晶圆厂总共有三期,全部完成后的产能是36万片每个月。
第一期满载产能为12万片,目前为2万片,2020年第一季底达到4万片。至于什么时候第一期达到8万片乃至满载产能12万片,会视研发进程、产品良率、市场需求来决定投产速度。请注意,这个2万片,4万片,都是企业对外的宣传口径,只是一个概数。
在此之前一天,9月19日在深圳举行的中国闪存峰会CFMS2019上,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士做了题为《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲,首次公开长鑫存储的技术细节,以及对DRAM技术现状和未来的看法。
在这次峰会上,应该说对于公众最大的疑问得到了解释,那就是如果长鑫的技术是来自奇梦达,而公众认为奇梦达量产的DRAM都是过时的沟槽式(Trench),而目前市场主流包括长鑫的DRAM都是用的堆叠式(Stack Capacitor Structure),这让公众对长鑫的真正技术来源有所疑问。