3：合肥长鑫已经量产DRAM存储器
做DRAM比做NAND闪存还要难，闪存全球还有六家公司占据主要份额（三星，东芝，美光，海力士，英特尔，西部数据），而DRAM全球主要就是三家：（三星，海力士，美光）。
2017年4月份长江存储代行董事长高启全曾经解释了紫光集团优先做NAND闪存的原因，他提到，传统2D转3D NAND技术后，半导体机台设备几乎都要换新，所以这时候投入是对的，每一个存储器公司都站在同一个出发点。
而DRAM技术，每转进新一代制程技术仅增加20%的半导体机台设备，既存的半导体大厂的多数机台设备都已经折旧光了，新加入DRAM技术的人去买新设备来生产，成本非常贵，会没有竞争力可言，因此长江存储优先将资源放在3D NAND，而非DRAM技术上。
另外从技术上来讲，相对于DRAM技术，国内在NAND闪存技术上的积累也相对更为乐观。因为先进技术的发展，专利是一个不可避免的问题，先发厂家会利用专利作为武器对后发厂家进行打击。2018年底高启全在接受中国证券报记者采访时，记者问到了长江存储的自主研发技术储备实力，高启全回答，
“刚开始，我们获得了一些专利授权，在此基础上研发了32层3D NAND，但到64层，就是完全自主独立开发。目前的研发设计团队在硅谷有一个、上海有一个，有国外的人才力量，也有中科院同仁加入我们。工艺方面的团队主要来自武汉新芯。中科院研发团队有1000多个专利，同时长江储存在过去几年也申请了500多项专利。专利不在于数量，在于好不好用，有些人有一、两万个专利但没有一个好用，人家想来攻击你的时候还是能攻击你。”
这一段意思很清楚，长江存储的32层NAND闪存技术是来自专利授权基础上进行研发，而64层则完全是自主技术，参见上面长江存储高管在不同公开场合宣传的Xtacking®架构，而且着重提到，研发有中科院的同仁加入，同时中科院研发团队有1000多个专利。
实际上我们在中科院的官网上也可以看到其研发人员参与长江存储研发的报道。
而相比NAND闪存敢于自信的说完全自主研发而言，我国在DRAM上面的积累就相对比较弱了，因此主要采取“高铁模式”，即通过全套引进国外先进技术，并在其基础上持续创新和发展。
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