到了2019年2月14日，中芯在发布2018年全年财报时，对先进工艺制程的描述是这么说的：
“梁孟松博士指出：“我們努力建立先進工藝全方位的解決方案，特別專注在FinFET技術的基礎打造，平臺的開展，以及客戶關係的搭建。目前中芯國際第一代FinFET 14nm技術進入客戶驗證階段，產品可靠度與良率已進一步提升。同時12nm的工藝開發也取得突破。透過研發積極創新，優化產線，強化設計，爭取潛在市場，我們對於未來的機會深具信心。”
中芯此次明确的提到了14nm工艺的可靠性和良率在经过半年的客户导入之后得到了进一步提升，同时首次提及12nm工艺开发取得技术突破。
时间到了2019年5月8日，中芯国际公布了今年的Q1财报，对技术进展是这么说的：
“中芯國際聯席首席執行官，梁孟松博士說：“FinFET研發進展順利，12nm工藝開發進入客戶導入階段，下一代FinFET研發在過去積累的基礎上進度喜人。上海中芯南方FinFET工廠順利建造完成，開始進入產能布建。我們將為快速契合客戶的技術遷移做好準備，以面對日新月異的行業環境。”
在这次的财报里面，中芯首度提到12nm工艺开始进入客户导入阶段，我们可以看下时间轴，14nm的客户导入是在2018年Q2左右，
在2018年Q4可靠性和良率得到了提升，
在2019年Q1完成了在上海的工厂建造，开始进入产能布建。
而更为先进的12nm工艺技术在2018年Q4取得重大突破
在2019年的Q1开始客户导入。
不仅如此，中芯国际还首次提到了下一代FinFET研发进度喜人，但并未解释下一代FinFET是多少纳米，应该也是14nm和12nm。
2019年8月8日，中芯国际发布了2019年上半年财报，
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