据中国军网、新华社等国内媒体29日的报道：
国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收，这是我国成功研制出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造10纳米以下级别的芯片。
科研人员操作超分辨光刻机
我国目前的芯片工艺还在14纳米，世界最顶尖的三星、台积电等已能量产7纳米芯片，正在研究3纳米技术。我们落后世界最尖端二三代，时间上相差3~5年。
新研制的这台光刻机，可用于制造10纳米以下的芯片，如果能够投入商用，实现量产，这就让我们追上了国际顶尖，与它们保持了一致水平。
从长远来看，还远不限于此，这台光刻机最大的亮点不在于它追上了国际水平，能制造10纳米以下级别的芯片，而在于它使用的新技术。
我们制造光刻机，一种是像ASML那样使用传统技术，再沿着它的老路走一遍；二是另辟蹊径，实现弯道超车。
光刻机技术，它类似于相片冲印，是将一个巨大的电路设计图缩印到介质上，然后芯片就这样出来了，这个过程中，光刻精度越高，性能就越好，体积也将更小。
