但实际情况却是美国政府担忧半导体技术的持续扩散，会造成中国逐步突破美国苦心经营多年的技术壁垒，形成对美国的全面竞争优势。这才是美国最不能容忍的。
总之，美国政府出台该法案的目的就是让中高端芯片实现在美投资、在美研发、在美制造，改变现在美国芯片制造产能不断滑坡的不利局面。
那该法案对美国半导体产业有多大的促进作用呢？
根据该报告的统计，受到政策激励措施的鼓励，三星（Samsung）、台积电（TSMC）、英特尔（Intel）和环球晶圆（GlobalWafer）等半导体制造商最近宣布了在美国建造制造设施的新计划。
例如，三星最近宣布，未来20年将在德克萨斯州投资近2000亿美元，新建11家芯片制造厂；英特尔宣布，其计划在俄亥俄州的芯片设施投资范围取决于从各类“芯片法案”当中获得联邦资金的多少，通过提供的资金，该公司可以在未来几年向8家晶圆厂投资1000亿美元；此外，台积电官员今年早些时候宣布计划在美国建立下一代芯片工厂，这是20多年来的首次。
当然，报告里面没有说明的是，这些国际半导体制造大厂并非完全出于美国政府的补贴激烈政策，很大程度上是美国政府向当地国政府进行了政治施压，包括美国政府的有关部门动用技术垄断地位肆意违反商业规则胁迫国外芯片制造企业对美妥协。
比如，这一次佩洛西刚刚完成的亚洲之旅搞得地区局势紧张升级，除了要为自己捞取个人政治私利以外，也是通过对我国台湾地区的窜访接触台积电的负责人、去韩国和日本确保半导体的供应链向美倾斜而不是持续投资到中国大陆。
美国政府胡萝卜+大棒的政策，让这些企业不得不增加在美投资，以换取市场份额以及相关技术的支持。
与此同时，该报告也不得不承认“它并不是政策上的灵丹妙药；该法案下面针对芯片补贴的项目总额（520亿美元）不到中国对半导体产业补贴总额的三分之一”。
报告这么说，好像美国相比于中国还是弱势了一样。实际情况却是美国人并没有说明，虽然说美国政府对半导体产业的总投资、总补贴和税收减免力度不如中国政府，但是该法案非常霸道地提出了一个排他性条款，即凡是获得了政府相关补贴的企业，禁止在中国增产先进制程芯片，期限为10年。
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