日本喜欢赌国运，对华军事冒险，中国不得不防

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2022-07-26 09:05:20

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幸运的是，身处绝路的台积电和ASML赌赢了！2004年，台积电与ASML联合研制出全球第一台浸入式光刻机，尼康紧随其后在次年推出157nm的干式微影光刻机。但问题是尼康的干式微影光刻机是全新产品，采购成本高，技术还不是特别的成熟，厂商买回去后，要经过多道工序的磨合才可以量产。

而浸入式光刻机属于小改，设备仍是原来193nm波长的设备，技术成熟度高不说，采购成本和生产成本也很低，稍做调试就能大规模量产。最关键的是，波长做得比尼康更好更短。直到今天，被视为高端制程的7nm芯片如苹果的A12与华为的麒麟980，仍然用的是193nm浸入式光刻机。

没有丝毫的意外，浸入式光刻机一经推出，英特尔、IBM、ADM等IC制造厂商们趋之若鹜，纷纷抛弃尼康，拥入ASML的怀抱。

此役，ASML和台积电一战封神：一个成为全球最大的光刻机供应商，一个成为全球最大的半导体代工商！但半导体厂商们相爱相杀的故事并没有就此结束...

日本光刻机产业真正覆灭的根源，要追溯到25年前那场多方密谋。1997年，英特尔在琢磨如何突破193nm波长的瓶颈时，干脆想了个一步到位的办法，用高功率二氧化碳激光器发射波长为13.5nm的极紫外光，这种波长仅为氟化氩激光的十四分之一，能够用于雕刻7nm制程以下的芯片。

不过麻烦也有许多，比如激光波长太短会产生绕射，造成掩膜和晶圆边缘过度曝光，芯片良品率会因此大幅下降。

英特尔深知EUV的研发工程已经超出自身能力范畴，于是拉上尼康、ASML、摩托罗拉、ADM等一众企业找上美国能源部，希望由美国政府部门牵头来做这件事。事情最后被一层层捅到白宫，当时的总统克林顿很是热衷于科技事务，遂下令科技顾问委员会仔细研究。结论是可行性很高，利润空间很大，但技术难度也堪比登天。

为此，经克林顿亲自审批，美国能源部又先后调集劳伦斯利弗莫尔，劳伦斯伯克利和桑迪亚三家国家级实验室，并额外投资2亿美元，资助EUV光刻机的研发。熟悉美国科技史的朋友应该知道，这三个国家级实验室的数百名科学家，当时是全球科研界最顶尖的人才，没有之一，堪称精英中的精英。

美国几乎所有领先世界的科技，源头都是从它们这里出来的。换句话说，美国决定以倾国之力押注EUV光刻技术，而目的就是为了重新夺回全球半导体产业链控制权。

所以，美国政府对英特尔只提了一个要求：不要尼康！利益面前，英特尔没有半分地犹豫，哐当一脚便把尼康踢出屋外，剩下的企业和美国能源部及三大国家级实验室组成EUV LCC联盟，正式向光刻技术的最高峰发起冲击！

经过多方的不懈努力，EUV极紫外线光刻机终于从几百篇论文中走进现实。2007年，ASMLZ在荷兰发布第一台研发用样机NXE3100，看见成果的英特尔三星台积电纷纷掏钱押注。2015年，首台量产型EUV光刻机亮相，来自全球各地的数百亿订单蜂拥而至。