“香山”即将完成流片对于我们来讲可真是一个好消息，因为这是我们绕过X86和Arm的绝佳机遇。由于这个架构完全开源，现在很多国内科技企业都已经加入到RISC-V，在这一架构的高级会员当中有80%都来自中国企业。这一架构指令精简，运行效率高、成本低，已经有不少美国科技企业放弃原来的x86而选择RISC-V架构了，最典型的例子就是Intel宣布，下一代7nm芯片将选择RISC-V架构，
也就是说，芯片设计中国也有国产框架，不再受外国限制。以前的说法，如果ARM不准你使用，中国也设计不出芯片。
5月11日，南大光电在业绩说明会中回复投资者称，公司的ArF光刻胶开发和产业化项目目前已完成25吨光刻胶生产线建设，主要先进光刻设备，如 ASML浸没式光刻机等已经完成安装并投入使用。
光刻胶是光刻机制造芯片的重要原材料，此前，日本制裁韩国三星就是断供两种制造芯片的化工材料。
还有芯片新材料的突破，据了解，目前芯片都是由硅材料制成，而这种技术一直被美国所掌控，想生产芯片就必须获得美国设备和技术，这导致芯片生产成本不断提高。而目前我国云南大学在研究时发现，将石墨烯和硫化铂这两种材料融合后就能成为第二代半导体芯片材料，其性能都优于传统硅材料，并且将研发成果发布到国际期刊上，为我国在芯片领域发展做出贡献。
光刻机呢？
那么从芯片设计框架到设计，从材料到制造，中国在芯片全产业链都实现突破。这里面的疑问是光刻机，这么短的时间攻克光刻机，可能吗？
林毅夫教授曾说：“给中国人三年时间，就能攻克光刻机。”
吴汉明院士曾说：顶级光刻机里面的零部件多达10万个，里面包含了多个国家的顶级技术，所以想要一个国家掌握如此多的尖端技术，是一件非常困难的事情。“单凭一国之力不可能造出光刻机。”
荷兰阿斯麦曾说：“即使把图纸给你们，你们也造不出顶级光刻机。”
众所周知，要想制造出高端芯片，就需要顶级光刻机，否则即使芯片设计技术再先进也只能是“纸上谈兵”。而目前我们国家想要打破国外的芯片封锁，关键一环就是光刻机的突破。
光刻机的消息，上海微电子已经研究出了28nm光刻机。中国大陆的刻蚀机已经达到5nm，被台积电使用。
28nm光刻机怎么能制造出7nm、5nm的芯片？
看报道，中国另辟蹊径。
上面提到13.5nm光源起步就是制程6.25nm，进一步是3nm。这“光源”是啥东东？可能就是不同于光刻机的芯片设备。
有消息是国内首台光源设备已经在6月份进入安装阶段。这种SSMB光源有望解决光刻机光源核心难题，也是目前全球亮度最高的第四代同步辐射光源之一。这一光源技术已经实现了全国产化，EUV光刻机最核心的技术就是EUV光源。光刻机要想制造7nm工艺以下芯片就要采用光源技术。
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